مقاله طراحی تقویت کننده‌های قدرت کلاس AB مبتنی بر ترانسفورماتور D-Band در فناوری‌های سیلیکونی
مقاله طراحی تقویت کننده‌های قدرت کلاس AB مبتنی بر ترانسفورماتور D-Band در فناوری‌های سیلیکونی
تعداد صفحات: 12
فرمت: pdf
زبان: لاتین
سال انتشار : 2020
این مقاله ملاحظات و روش‌شناسی طراحی را برای تقویت‌کننده‌های توان تقویت‌کننده افزایش بهره مبتنی بر ترانسفورماتور باند D کلاس-AB در سه فناوری پیشرفته سیلیکونی ارائه می‌کند: CMOS حجیم ۲۸ نانومتری (نیمه‌رسانای اکسید فلزی مکمل)، FD-SOI ۲۲ نانومتری (کاملاً– سیلیکون تخلیه شده…
- ۰ نظر
- ۱۰ شهریور ۰۱ ، ۰۳:۱۶